Stanford Research
Stanford Research SIM914
350MHz PreAmplifier
±15 V über SIM-Rückwandbus Spannungsversorgung
4 unabhängige Koaxialrelais-Kanäle Anzahl der Kanäle
DC bis 1 GHz Schaltfrequenz (maximal)
50 Ω Charakteristische Impedanz
< 0,5 dB bei 1 GHz Einfügedämpfung
| Attribut | Wert |
|---|---|
| Spannungsversorgung | ±15 V über SIM-Rückwandbus |
| Anzahl der Kanäle | 4 unabhängige Koaxialrelais-Kanäle |
| Schaltfrequenz (maximal) | DC bis 1 GHz |
| Charakteristische Impedanz | 50 Ω |
| Einfügedämpfung | < 0,5 dB bei 1 GHz |
| Isolierung | > 60 dB bei 10 MHz |
| Maximale Eingangsleistung | 1 W (30 dBm) |
| Anschlusstyp | BNC-Koaxialanschlüsse |
| Steuerung | Über SIM-Bus (RS-232) oder manuelle Bedienung |
| Kompatibilität | SIM900 Mainframe und alle SIM-kompatiblen Systeme |
| Model | SIM914 |
|---|
The SIM914 350 MHz PreAmplifier contains two wide-bandwidth, DC-coupled Amplifiers, each with a gain of 5 (14 dB).
