Stanford Research
Stanford Research SIM940
Rubidium Frequency Standard
DC bis 1 MHz Frequenzbereich
4 nV/√Hz bei 1 kHz Spannungsrauschen
1 bis 100.000 (in Schritten von 1 dB) Verstärkungsbereich
10 MΩ, differenziell Eingangsimpedanz
100 dB bei 1 kHz Gleichtaktunterdrückung (CMRR)
| Attribut | Wert |
|---|---|
| Frequenzbereich | DC bis 1 MHz |
| Spannungsrauschen | 4 nV/√Hz bei 1 kHz |
| Verstärkungsbereich | 1 bis 100.000 (in Schritten von 1 dB) |
| Eingangsimpedanz | 10 MΩ, differenziell |
| Gleichtaktunterdrückung (CMRR) | 100 dB bei 1 kHz |
| Stromrauschen | 1 pA/√Hz bei 1 kHz |
| Betriebsspannung | Versorgung über SIM900 Mainframe |
| Anschlusstyp | BNC-Eingang und -Ausgang |
| Modulformat | SIM-Modul (Small Instrumentation Modules) |
| Betriebstemperaturbereich | 0 °C bis +40 °C |
| Model | SIM940 |
|---|
The Stanford Reasearch SIM940 integrates a rubidium oscillator (SRS Model PRS10) into the SIM900 platform.
