Stanford Research
Stanford Research SIM922
Diode Temperature Monitor
4 kanały Liczba kanałów
Diody półprzewodnikowe (Silicon Diode) Typ czujnika
1,4 K do 475 K Zakres temperatur
0,001 K Rozdzielczość pomiaru temperatury
10 µA (stały prąd wzbudzenia) Prąd wzbudzenia czujnika
| Atrybut | Wartość |
|---|---|
| Liczba kanałów | 4 kanały |
| Typ czujnika | Diody półprzewodnikowe (Silicon Diode) |
| Zakres temperatur | 1,4 K do 475 K |
| Rozdzielczość pomiaru temperatury | 0,001 K |
| Prąd wzbudzenia czujnika | 10 µA (stały prąd wzbudzenia) |
| Interfejs komunikacyjny | Magistrala SIM (zgodność z systemem SIM960) |
| Napięcie zasilania | Zasilanie przez moduł macierzysty SIM900 |
| Częstotliwość próbkowania | 4 pomiary na sekundę na kanał |
| Dokładność pomiaru | ±0,5 K (typowo, w zależności od zakresu temperatury) |
| Wymiary modułu | Standardowy moduł SIM: 25,4 mm × 133,4 mm × 160 mm |
| Model | SIM922 |
|---|
The SIM922 Diode Temperature Monitor is designed to measure four Sensors simultaneously. Based on the modular SIM platform, it provides High-Performance and Multiple-Channel capability in a small footprint.
