Stanford Research
Stanford Research SIM910
0 - 1MHz PreAmplifier
100 MΩ parallel zu 25 pF Eingangsimpedanz
1, 2, 5, 10, 20, 50, 100 Verstärkungsbereich
DC bis 1 MHz Bandbreite
4 nV/√Hz bei 1 kHz (Verstärkung 100) Rauschspannung
Betrieb über SIM-Rahmen (SIM900) Versorgungsspannung
| Attribut | Wert |
|---|---|
| Eingangsimpedanz | 100 MΩ parallel zu 25 pF |
| Verstärkungsbereich | 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100 |
| Bandbreite | DC bis 1 MHz |
| Rauschspannung | 4 nV/√Hz bei 1 kHz (Verstärkung 100) |
| Versorgungsspannung | Betrieb über SIM-Rahmen (SIM900) |
| Eingangsbereich | ±10 V (bei Verstärkung 1) |
| Ausgangsbereich | ±10 V |
| Gleichtaktunterdrückung (CMRR) | 100 dB bei DC |
| Eingangstyp | Differenzieller Eingang (BNC-Anschlüsse) |
| Betriebstemperaturbereich | 0 °C bis 40 °C |
| Model | SIM910 |
|---|
The Stanford Research Systems SIM910 is a 0 - 1.0 MHz PreAmplifier
